数字集成电路 第4辑

1 (p0-1): 目录
1 (p0-2): 一、生产试制总结
1 (p0-3): 二次缺陷的形成、变化和消除
7 (p0-4): TTL集成电路的X-Y特性分析法
23 (p0-5): 16×1随机存取存贮器
32 (p0-6): 2-16进制同步可预置计数器
45 (p0-7): 双极型可编只读存贮器
56 (p0-8): 对通隔离
58 (p0-9): 改进线路提高了合格率
66 (p0-10): 提高集成电路成品率和可俈性的有效措施
71 (p0-11): 如何保证四氯化硅的高质量
74 (p0-12): 原水预处理的重要性及方法
79 (p0-13): 双极型大规模集成电路的现状和展望
86 (p0-14): 二、译文
86 (p0-15): 门几何尺寸对集成注入逻辑（I2L）传？延迟的影响
93 (p0-16): 负掩模关键尺寸的控制
95 (p0-17): 译码器／多路调解器
106 (p0-18): 半导体晶片的处理方法
109 (p0-19): 硅片的软固定抛光方法
114 (p0-20): 重显性优质二氧化硅薄膜形成法
118 (p0-21): 大规模集成电路片子？洗处理
123 (p0-22): 选择腐蚀法
126 (p0-23): SiN-SiO2膜内应力的减小
127 (p0-24): 固体介质中分析针孔的金？淀积技术
128 (p0-25): 用三溴化硼作预淀积
135 (p0-26): 减少砱扩散中的过剩砱以消除缺陷
140 (p0-27): 砷旋转涂布扩散源的扩散工艺
146 (p0-28): 硅的固相砷扩散
147 (p0-29): 高砱硅的热氧化
156 (p0-30): 利用光刻膜部分的处理法
159 (p0-31): 减少大规模集成器件中串联电阻的反应性离子蚀刻工艺
161 (p0-32): 高氧Czochralski硅晶体生长与外延堆垛层错的关系
168 (p0-33): 硅槽周围产生的位错
169 (p0-34): 硅片背面的位错吸附
170 (p0-35): 硅片正面的位错吸附
171 (p0-36): 沾污离子的检测和定位
172 (p0-37): 低成本大规模集成电路单芯片组件管壳
173 (p0-38): ？洁处理金相的溶液
174 (p0-39): 双极型大规模存储器
179 (p0-40): 半导体集成电路装置
183 (p0-41): 应用于集成电路的晶体管
187 (p0-42): 可改善噪声容限的TTL电路
189 (p0-43): 集成注入逻辑的改进
191 (p0-44): 高密度、高性能的I2L单元
193 (p0-45): 双极型大规模集成电路I2L